禁制帯幅が狭い半導体。代表例として、インジウムヒ素（InAs）、インジウムアンチモン（InSb）、硫化鉛（PbS）、テルル化鉛（PbTe）、テルル化水銀カドニウム（HgCdTe）などがある。禁制帯幅が狭いことを利用した赤外線検出器や、高い移動度を有する材料では高速電子デバイスやホール効果素子として応用される。また、禁制帯幅がないゼロギャップ電子系の物性研究としても重要である。