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不純物が入ることにより物質中に新しく形成されるエネルギー準位。半導体では、多数キャリア濃度を制御するために、特定の不純物を微量添加(ドーピング)することにより、伝導帯のわずか下、または価電子帯からわずか上に不純物準位が形成され、それぞれドナー準位、アプセプター準位とよぶ。また禁制帯中央付近の深い準位を形成する場合、キャリアを捕獲、再結合する準位として働くことが多い。
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