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金属や半導体表面から電子を外部(真空中)に取り出すのに必要な最小エネルギーで、無限遠方にある電子状態を真空準位とすると、フェルミ準位と真空準位との差に相当するエネルギーとなる。金属/半導体接触における電子注入やMOSFET特性において重要である。また、照射した光エネルギーにより電子が真空中に飛び出す光電効果と密接に関係している。
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