窒化ガリウムはガリウムの窒化物であり、組成式がGaNと表記される化合物半導体。ガリウムナイトライド（gallium nitride）ともよばれる。バンドギャップ（禁制帯幅）は室温において約3.4eV（電子ボルト）で、バンドギャップに対応する波長は約365nm（ナノメートル）に相当するため、主に青色発光ダイオード（青色LED）の材料として用いられる。結晶構造はウルツ鉱構造と閃亜鉛鉱構造の2種類を取りうるが、前者がエネルギー的に安定であり、よく使われている。また、高い熱伝導率と放熱性、電子の飽和速度が大きい、絶縁破壊電圧が高いなどの理由から、高出力・高周波の電子デバイスとしても期待されている。