半導体集積回路技術により記憶機能回路をIC化したもの。回路構成により、電源を切ると内容が消去される揮発性メモリー（volatile storage）と、一度記憶すると電源のバックアップなしに内容が保存される不揮発性メモリー（non-volatile storage）がある。一般に前者は、記憶内容の読み出し書き込み速度が1ナノ秒（ns）から100nsと速いため、読み出し書き込み可能なRAM（random access memory）として、後者は書き込み速度が比較的遅いか、書き込みができないため、あらかじめ記憶した内容の読み出し専用メモリー（ROM read only memory）として、使用されている。最近では、不揮発性のRAMの研究開発が盛んである。