強磁性体の巨大磁気抵抗（GMR giant magneto resistive）効果やトンネル磁気抵抗（TMR tunnel magneto resistance）効果を利用し、磁化方向の変化をメモリーに利用した不揮発性メモリー。磁性メモリーともいう。SRAM並みの書き込み読み出し速度、DRAM並みの高集積化、低消費電力などの特徴が期待されている。電流で磁化方向を変えるだけなので、事実上書き換え可能回数に制限がなく、既に4Mビットチップがフリースケール社から製品化されている。一層の高集積化・高速化には書き込み時の電流を低減することが課題である。