材料の抵抗変化を情報の担体とするメモリー。ReRAMとも表記する。抵抗変化メモリーともいう。高抵抗状態と低抵抗状態を電流でスイッチする現象を利用している。比較的スイッチングが速く、抵抗状態の保持特性もよいため実用化に向けた研究が進められているが、抵抗変化の原因など、基本的な現象は未解明である。抵抗が変化する材料として、酸化ニッケル、酸化銅と窒化チタン、二酸化チタンなどを使った試作が行われている。2015年にインテル等から3D XPointメモリーとして128Gビットのチップが発表された。