2015年にインテルとマイクロン・テクノロジーとの共同開発で製品化が発表された不揮発性RAM。詳細が開示されていないため断片的な情報から推定すると、縦横（クロスポイント型）に配置した2本の線の間に新たに開発したバルク型の抵抗変化素子を縦型に挟んで配置した抵抗変化メモリー（RRAM）であるという。1ビットが縦型になっており、またメモリーセル内にトランジスタを使用しないため、DRAMなどこれまでのメモリーに比較して高密度化が可能になり、大容量化が比較的容易に達成できるとしている。データの書き換え速度が速く、書き換え回数なども従来のフラッシュメモリーより格段に優れているため、ストレージ・クラス・メモリー（SCM）として主流の技術になり得るともしている。また、発表されたチップは64G（ギガ＝10⁹）ビットのチップを2層に積層して128Gビットとなっている（このため3Dと呼んでいる）が、数十層に積層できればT（テラ＝10¹²）ビットのチップも実現可能になり、予定通りの性能と価格を実現できれば、情報処理システム性能の向上に寄与できる。