p型半導体とn型半導体をnpn、あるいはpnpのように三層構造にした半導体増幅素子で、中間の層（ベース）に印加された信号電圧の小さな変化で、両端の電極間を流れる電流を制御する。1948年にショックレーが理論的検討から発明したトランジスタ。現在では、数GHz以上の高周波や、大きな電力を制御する特殊な分野で使用されている。より高速動作に向いた構造として、シリコンとゲルマニウムや、ガリウム・ヒ素系のバンドギャップが異なる化合物半導体を用いたへテロバイポーラトランジスタ（heterogeneous bipolar transistor HBT）が開発され光通信などの超高周波領域で広く使われている。