3端子構造の半導体増幅素子の総称。1947年に、半導体と金属の点接触構造で固体の増幅作用を世界で初めて実証したバーディンとブラッタン（1956年にショックレーとともにノーベル賞を受賞）が命名した。
動作機構から電界効果トランジスタに代表されるユニポーラ・トランジスタ（unipolar transistor 単極性トランジスタ）と、バイポーラ・トランジスタ（双極性トランジスタ）に区別される。ユニポーラ・トランジスタには電界効果トランジスタ、静電誘導トランジスタ、高電子移動度トランジスタ（HEMT）などがある。最近では単電子トランジスタ、スピントランジスタなど量子現象を利用したデバイス（→「量子効果トランジスタ」）の研究も進んでいる。