半導体の異種接合界面などに形成される二次元電子系において、低温・強磁場下でホール効果を測定したとき、そのホール抵抗が量子化される現象。低次元電子系試料のホール抵抗にプラトーとよばれる一定の値をとる領域が出現し、ホール抵抗がプランク定数hと素電荷eのみを用いてh/e2の整数倍になる。これを整数量子ホール効果といい、電気抵抗標準として決めたり、微細構造定数の決定に使われたりする。