初期のEPROM、EEPROMから現在主流のフラッシュメモリーまで主に用いられてきたメモリーの構造。フローティング・ゲートと呼ばれる、トンネル絶縁膜などで他の部分から電気的に絶縁された多結晶シリコンなどでできた領域に、トンネル絶縁膜を通して電荷を注入することにより、書き込み・消去を行う。電荷の保持が情報の保持に直接関連するため、トンネル絶縁膜の厚さを極端には薄くできないことから、寸法の縮小に限界がある。また、トンネル絶縁膜を通して電流を流す（一種の絶縁破壊）ことが必要なため、情報保持の信頼性を保持するために様々な工夫が必要である。そこで、このような限界がまだ見えていないチャージ・トラップ型フラッシュメモリーの開発が進められている。

図「フラッシュメモリーの構造」