2電極間に流れる電流を、中間にある制御用のゲート電極に加える電圧の大きさにより制御するトランジスタ。ゲート電極にpn接合を利用するもの、ショットキー接触を利用するもの、薄い絶縁物の上から電圧を印加するものの三方式がある。特に絶縁物としてのシリコンの酸化膜を介して電界を作用させる方法は、その構造からMOSFET（metal-oxide-semiconductor FET 金属・酸化膜・半導体FET）とよばれる。電子を担体とするnチャネルFETと正孔を担体とするpチャネルFETを組み合わせたものをCMOS（complementaryMOSFET）とよび、メモリーやマイクロプロセッサーなどの大規模集積回路など今日の半導体技術の中枢を占める。