65nm技術（→65nmデバイス）の次の世代の技術で、配線のピッチの半分の寸法が45nmのトランジスタと、それを用いた集積回路の総称。最も困難な技術課題はリソグラフィーであったが、ArF（フッ化アルゴン）を用いたエキシマレーザー（波長193nm）を光源とし、位相シフト法、液浸法などを組み合わせて解像に成功している。2009年現在の最先端LSIを量産する技術で、65nm技術の2倍程度の集積度を可能にする。メタルゲートと高誘電率材料絶縁膜を用いる場合もある。たとえばインテルのCorei7マイクロプロセッサーなどを実現するのに使用されているといわれている。