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半導体の熱平衡状態のキャリア濃度に比べて増加した蓄積状態にある半導体表面(界面)層。MOSFETにおいては、ゲート電界により半導体表面にキャリアが引き寄せられ、この蓄積層が主な電流経路(チャネル)が形成される。
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