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物質中でキャリアが捕獲される状態、あるいは場所。半導体結晶中の伝導電子(または正孔)が不純物や空格子点などの欠陥に近づくと,そこで散乱されたり捕獲されたりする。トラップのエネルギー準位(トラップ準位の深さ)はドナーやアクセプター準位に比べて大きいため、素子特性に大きな障害を及ぼす場合が多い。
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