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インジウム(In)とリン(P)からなる3-5族化合物半導体で、組成式はInP。リン化インジウムとも表記される。1.35eVのバンドギャップ(禁制帯幅)を持つ3-5族半導体であり、高い電子移動度を有することから、発光・受光デバイスや高速デバイス用材料として使用される。
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