半導体中に不純物を添加する方法の一つで、不純物をイオン化して電界で加速することで半導体の表面付近に不純物を注入（implantation）して、活性層を形成する技術で、一般的な熱拡散法に比べ、不純物の導入位置制御、不純物の純度などドーピングプロセス制御性に優れる。イオン注入装置は、不純物原子をプラズマによりイオン化するイオン源、高真空下にイオンを引き出し加速する加速管、所望のイオン種を選び出す質量分析系とウエハーを支えるエンドステーションから構成される。