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導電型が反転した半導体表面(界面)近傍の領域。MOSFETにおいては、強いゲート電界により半導体表面に反転したキャリアが引き寄せられ、ある電圧を境としてn型(p型)半導体中の反転したp型(n型)チャネル領域が形成される。これを反転層とよび、トランジスタ特性の重要な役割を果たしている。
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