ガリウムヒ素

時事用語事典

2012/03

工藤一浩

ガリウムとヒ素からなる3-5族化合物半導体で、組成式はGaAs。ヒ化ガリウムと表記される。約1.43eVのバンドギャップ（禁制帯幅）を有する直接遷移半導体で、シリコンよりも高い電子移動度を持つため、発光・受光デバイスや高速デバイス用材料として使用される。