基板を加熱し、反応性のガスをその上に流すことにより熱分解反応などによって所望の材料を基板上に堆積（たいせき）する技術。たとえば、シリコン基板を1000℃程度に加熱しその上に四塩化シリコンと水素の混合ガスを流すと、四塩化シリコンが還元されてシリコン結晶が成長する。四メチルガリウムにアンモニアを混合したガスを加熱したサファイアなどの基板上に流せば、青色ダイオードの原料となるチッ化ガリウムが成長する。