材料が相変化により絶縁体状態と導電体状態を取ることを利用し、抵抗の変化を情報の担体としたメモリー。PCRAMとも表記する。相変化メモリー（フェーズチェンジメモリー phase change memory ; PCM）ともいう。比較的スイッチングが速く、抵抗状態の保持特性も良い。2012年、アメリカのMicron Technology社より、45nm（ナノメートル）技術による1Gbit（ギガビット）チップが製品化された。