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異種半導体間にできる接合で、ホモ接合と対比して使われる。通常は格子整合系または格子定数が近い材料系で作られる。異なる半導体の性質やヘテロ接合部分に形成されるバンド不連続、量子準位などを利用することによって、デバイスの高効率化や新機能が得られる。半導体レーザーや高電子移動度トランジスタ(HEMT)では、素子構造内でヘテロ接合が使われる。
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