本来は配線ピッチの半分を最小加工寸法XXnm（ナノメートル）デバイス（プロセス）と称する。XXには32、22などの数字が入る。1980年ごろの2μm（マイクロメートル）デバイスから90年代まではほぼ6年で2分の1に縮小され、2000年には200nm程度まで小さくなったが、その後もスケーリング側による寸法縮小が続いている（→「65nmデバイス」、「45nmデバイス」）。10年には最先端技術は30nm台になり、その後32nm、28nm、22nmと寸法縮小が続き、10nm台の時代になりつつある。これらのデバイスを実現するために最も重要なのがリソグラフィー技術であり、32nm以降はダブルパターニング技術が使用されている。また、22nm以下での実用化を目指し、EUV技術が開発中である。デバイスもFinFET（フィンフェット）などが実用化されると予想されている。