超微細な量子ドットとよばれる電荷蓄積部に接続された2個のトンネル接合と、ゲート電極構造を持つ単電子トランジスタ。1個の電子が微小接合電極を出入りする際、静電エネルギーが変化しトンネル過程が抑制されるクーロンブロッケード現象を利用したトランジスタで、新しい概念に基づく高速・低消費電力デバイスとしての応用が期待されている。また最近では、多重トンネル接合の構造で単電子の静的閉じ込めによる記憶動作の原理が検証され、単電子メモリーとしても注目されている。