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電子の波動やスピン、量子閉じ込め効果といった量子効果を用いたトランジスタの総称。単電子トランジスタ、スピントランジスタ、高電子移動度トランジスタ（HEMT）などがあげられる。従来のシリコンMOSトランジスタの限界を超える次世代デバイスとして注目されている。（→「量子効果デバイス」）
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